O recozimento a laser está em constante crescimento nas novas tecnologias, especialmente na indústria automobilística, energias renováveis, comunicações, iluminação, médica e acima de tudo em semicondutores.
Transistores IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) são produzidos em wafers mecanicamente afinados com uma espessura típica de 100 µm ou menos. De forma a estabelecer um campo de bloqueio e/ou camada na parte traseira do “wafer”, elementos dopantes implantados em camadas inferiores devem ser ativados através de um processo de alta temperatura de recozimento no final do processo FEOL (“front-end-od-line” – todos os processos necessários na fabricação de CMOS para formar elementos totalmente isolados). Normalmente, os elementos sensíveis na parte frontal do “wafer” são protegidos por uma fita. Devido à baixa resistência a temperaturas da fita, a sensibilidade ao calor dos elementos das camadas frontais e da distribuição não uniforme de calor na câmara de processamento, a ativação convencional em fornos se caracteriza por baixo nível de ativação e velocidades. O processo de recozimento a laser COHERENT-ROFIN foi desenvolvido para superar estes pontos e permitir significantes ganhos em estabilidade de processo e operar em níveis competitivos de custo por “wafer”. O recozimento a laser ativa os elementos dopantes inferiores e simultaneamente previne danos às camadas frontais do “wafer” e da fita protetora, especialmente elaborada para não sofrer alterações com o laser.